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电子元器件所能承受的静电破坏的电压是多少

更新时间:2019-01-04      点击次数:11410

电子器件所能承受静电破坏的静电电压是多少,相信大家都不知道吧,下面我们就一起来看看吧。

以下是一些参考资料中给出的数据:

  器件类型

静电破坏电压(V) 

    器件类型     

静电破坏电压(V) 

  VMoS     

  30~1800        

  OP-AMP         

  190~2500        

  M0SFET   

  100~200        

 JEFT           

  140~1000        

  GaAsFET  

  100~300        

 SCL            

  680~1000        

  PROM     

 100            

 STTL           

  300~2500        

  CMoS     

  250~2000        

 DTL            

  380~7000        

  HMOS     

  50~500         

  肖特基二极管   

  300~3000        

   E/DMOS  

  200~1000       

 双极型晶体管   

  380~7000        

ECL      

  300~2500       

 石英压电晶体

  <10000          

从上表可见大部分器件的静电破坏电压都在几百至几千伏,而在干燥的环境中人活动所产生的静电可达几千伏到几万伏。

要想获得某个元器件的所能能承受的静电电压要通过试验才能测得。按照国内标准,一般使用静电放电敏感度测试仪:

电子元器件静电敏感度的试验主要用ESS-6008/ESS-6002半导体静电放电模拟试验器,而用电子元器件组装成组件、整机的电子设备静电试验则用ESS-S3011A/ESS-B3011A/ESS-L1611A静电放电模拟试验器来做试验。

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